enEN

Aktualności


art

Tranzystory IGBT firmy INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) czyli tranzystor bipolarny ...

- światowy lider w dziedzinie półprzewodników mocy. Tranzystor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) czyli tranzystor bipolarny z izolowaną bramką stanowi hybrydowe rozwiązanie, łączące w sobie zalety tranzystora MOSFET oraz bipolarnego. Cechuje się wysoką impedancją wejściową oraz wysoką częstotliwością przełączania sygnałów jak w tranzystorze MOSFET oraz niskim napięciem nasycenia znanym z tranzystora bipolarnego. Efektem takiej kombinacji jest tranzystor o wyjściowych charakterystykach przełączania i przewodzenia takich, jak w tranzystorze bipolarnym, ale sterowany sygnałem napięciowym, jak tranzystor MOSFET. Tranzystory IGBT przystosowane są do sterowania obciążeniem indukcyjnym – cewki, elektromagnesy czy silniki DC. Stosuje się je głównie w elektronice dużych mocy – w aplikacjach takich jak inwertery, przetwornice napięcia, zasilacze, spawarki. Oferta obejmuje tranzystory o dopuszczalnych napięciach od 600V do 1600V i zdolnych przełączać prądy do 150A. Większość modeli posiada wbudowaną diodę przeciwrównoległą pozwalającą na przewodzenie prądu w kierunku wstecznym do zastosowania np. w mostkowych układach sterowania silników. Symbol Wbudowana dioda przeciwrównoległa Napięcie kolektor-emiter VCE Prąd kolektora IC @ TC = 25°C Maksymalna moc rozpraszana PD @ TC = 25°C Obudowa TO-247 IGW25N120H3 NIE 1200V 50A 326W IGW30N60T NIE 600V 45A 187W IGW75N60T NIE 600V 150A 428W IHW15N120R3 TAK 1200V 30A 254W IHW20N135R3 TAK 1350V 40A 310W IHW30N120R2 TAK 1200V 60A 390W IHW30N160R2 TAK 1600V 60A 312W IKW20N60T TAK 600V 40A 166W IKW25N120H3 TAK 1200V 50A 326W IKW25N120T2 TAK 1200V 50A 349W IKW30N60H3 TAK 600V 60A 187W IKW30N60T TAK 600V 45A 187W IKW40N120H3 TAK 1200V 80A 483W IKW50N65H5 TAK 650V 80A 305W IKW75N60T TAK 600V 80A 428W IHW15N120R3 TAK 1200V 30A 254W Obudowa TO-220 IKP15N60T TAK 600V 30A 130W Obudowa TO-252 IKD04N60R TAK 600V 8A 75W IKD06N60R TAK 600V 12A 100W

2016-06-28 czytaj więcej
art

Osprzęt do przekaźników firmy Hongfa

Polecamy gniazda i akcesoria dla przekaźników firmy Hongfa ...

Polecamy osprzęt dla przekaźników: gniazda, obejmy metalowe, obejmy plastikowe oraz płytkę opisową. Właściwości: wytrzymałość dielektryczna może osiągać 5000VAC i odporność izolacji 1000MΩ; dostępne są trzy typy montażu: PCB, za pomocą śrub oraz DIN; zastosowanie w przekaźnikach (zob. tabela, kolumna „Parametry”); produkty przyjazne środowisku, zgodne z dyrektywą RoHS).    Symbol Micros Symbol producenta Parametry gniazda przekaźników P g118f-1z-a1-1 118F-1Z-A1-1  250VAC; 10A; PCB, z zaciskiem śrubowym właściwe dla HF118F 1 typ P g118f-1z-a1-2 118F-1Z-A1-2  właściwe dla HF118F 2 typ P g118f-2z-a1 118F-2Z-A1  właściwe dla HF118F 3 i 4 typ P g14ff-1z-a1 14FF-1Z-A1  właściwe dla HF14FF/141FF,HF115F/115F-A 1 typ  obejma metalowa P g118f-h1 retainer 118F-H1   118F-H1 obejma metalowa do gniazd 118F gniazdo przekaźnika P g14ff-1z-c3 14FF-1Z-C3  250VAC; 10A; DIN, z zaciskiem śrubowym właściwe dla HF14FF/141FF,HF115F/115F-A 1 typ gniazdo przekaźnika P g14ff-2z-c4 14FF-2Z-C4  250VAC; 10A; na szynę DIN(TS35), z zaciskiem śrubowym właściwe dla HF14FW/140FF,HF115F/115F-A/115FP 3 i 4 typ obejma metalowa P g14ff-h1 clip 14FF-H1    obejma metalowa do gniazda 14FF-1Z-A1, 14FF-2Z-A1 obejma metalowa P g14ff-h2 clip 14FF-H2    obejma metalowa do gniazda 14FF-1Z-A1 P g14ff-h3 clip 14FF-H3    obejma metalowa do gniazda 14FF-2Z-A1 obejma plastikowa P g14ff-h4 retainer 14FF-H4    obejma plastikowa do 14FF-1Z-C2/14FF-1Z-C3/14FF-2Z-C2/14FF-2Z-C3/14FF-2Z-C4 obejma plastikowa P g14ff-h5 retainer 14FF-H5    obejma plastikowa do gniazda 14FF-1Z-2C, 14FF-1Z-3C płytka opisowa P g14ff-m1 marker 14FF-M1   płytka opisowa właściwa dla gniazd: 14FF-1Z-C2/C3, 14FF-2Z-C2/C3/C4

2016-06-27 czytaj więcej
art

Mikrofalowe czujniki ruchu

Polecamy mikrofalowe czujniki ruchu marki PDLUX. Czujniki tego typu wykrywają ...

Polecamy mikrofalowe czujniki ruchu marki PDLUX. Czujniki tego typu wykrywają zmiany w odbiciu fal spowodowane ruchem obiektu i pozwalają na detekcję przez takie materiały, jak: tworzywa sztuczne, szkło, płyty kartonowo-gipsowe oraz drewniane. Zmiany temperatury nie wpływają na detekcję ruchu. Zastosowania: inteligentne przełączniki, automatyczne załączanie oświetlenia. Cechy i zalety: bezdotykowe wykrywanie, łatwe dopasowanie do obwodu zewnętrznego, funkcja przeciwzakłóceniowa - dostosowanie do pracy w trudnych warunkach, niska emisja hałasu. CZ PD-V3 Prąd obciążenia 12-13.5mA Napięcie 4.75-5.25VDC Moc promieniowania 0.18-0.22mW Częstotliwość promieniowania 5.8GHz Pole detekcji 360° Temperatura pracy -15~90°C Produkty za zamówienie:  Symbol CZ PD-V1 CZ PD-V4 CZ PD-V5 CZ CZ PD-V6   Prąd obciążenia 18-25mA 12-13.5mA 12-13.5mA 18-25mA Napięcie 4.75-5.25VDC Moc promieniowania 0.1-0.15mW 0.18-0.22mW 0.18-0.22mW 0.1-0.15mW Częstotliwość promieniowania 5.8GHz Pole detekcji 360° Temperatura pracy -15~75°C -15~90°C -15~90°C -15~75°C  

2016-06-21 czytaj więcej
art

Koraliki ferrytowe firmy Samsung

W ofercie Microsa pojawiły się nowe koraliki ferrytowe znanej i ...

W ofercie Microsa pojawiły się nowe koraliki ferrytowe znanej i cenionej firmy Samsung.  Zastosowanie: komputery, drukarki, telewizory, telefony komórkowe. Cechy:  idealny kształt do automatycznego montażu; znakomita lutowność i wysoka odporność na ciepło przy lutowaniu rozpływowym i na fali; konstrukcja monolityczna z nieorganicznego materiału dla lepszej niezawodności; dzięki konfiguracji zamkniętego obwodu magnetycznego unika się zakłóceń; koraliki ferrytowe mogą być montowane na płytkach PCB o dużym zagęszczeniu elementów. Symbol Impedancja Prąd znamionowy Tolerancja Rezystancja Obudowa D CIM05U601NC 600R przy 100MHz 300mA 25% 0.6R 0402 D CIV05J102NC 1000R przy 100MHz 250mA 25% 1.25R 0402 D CIM10J400NC 40R przy 100MHz 600mA 25% 0.12R 0603 D CIM10F600NC 60R przy 100MHz 550mA 25% 0.25R 0603 D CIC10J600NC 60R przy 100MHz 2000mA 25% 0.05R 0603 D CIM10J800NC 80R przy 100MHz 550mA 25% 0.15R 0603 D CIM10J121NC 120R przy 100MHz 500mA 25% 0.2R 0603 D CIC10P121NC 120R przy 100MHz 2000mA 25% 0.05R 0603 D CIM10N241NC 240R przy 100MHz 300mA 25% 0.6R 0603 D CIM10J471NC 470R przy 100MHz 300mA 25% 0.35R 0603 D CIM10J601NC 600R przy 100MHz 300mA 25% 0.45R 0603 D CIC10P471NC 470R przy 100MHz 1200mA 25% 0.15R 0603 D CIM10U601NC 600R przy 100MHz 500mA 25% 0.38R 0603 D CIM10J102NC 1000R przy 100MHz 250mA 25% 0.6R 0603 D CIC21P600NE 60R przy 100MHz 3000mA 25% 0.025R 0805 D CIC21J121NE 120R przy 100MHz 2500mA 25% 0.05R 0805 D CIC21P221NE 220R przy 100MHz 3200mA 25% 0.035R 0805 D CIM21J601NE 600R przy 100MHz 500mA 25% 0.25R 0805 D CIM21J202NE 2000R przy 70MHz 500mA 25% 0.5R 0805 D CIM21J222NE 2200R przy 70MHz 300mA 25% 0.7R 0805 D CIC31P601NE 600R przy 100MHz 1500mA 25% 0.07R 1206 D CIC31P121NE 120R przy 100MHz 2000mA 25% 0.025R 1206 D CIB32P600NE 60R przy 100MHz 1500mA 25% 0.02R 1210   D CIM05U601NC  

2016-06-16 czytaj więcej
art

Nowe złącza kart pamięci i SIM firmy KINGFONT

Złącza tego typu znajdują szerokie zastosowania min. w telefonach komórkowych ...

Polecamy nowe złącza kart pamięci oraz SIM firmy KINGFONT, jednego z wiodących tajwańskich producentów złączy, obecnego na rynku od 1983 roku. Złącza tego typu znajdują szerokie zastosowania min. w telefonach komórkowych, tabletach, aparatach cyfrowych, komputerach oraz innych urządzeniach multimedialnych i komunikacji bezprzewodowej.       Symbol Typ Dane techniczne Nowość Z 9SDE-D podstawka SD Memory Card, z wyrzutnikiem PDF Nowość Z 9TF-Ec podstawka T-Flash (micro SD) Card, z wyrzutnikiem PDF Nowość  Z SIM-W06-2 podstawka karty SIM, 6 styków, z wysuwaną klapką PDF Z 9002-08c1 złącze karty IC smart card, normalnie zamkniete 8 pin PDF Z 9002-08o1 złącze karty IC smart card, normalnie otwarte 8 pin PDF Z GCF złącze karty CF PDF Z GCF-E wyrzutnik do kart Compact Flash I & II PDF Z 9SD-s podstawka karty SD PDF Z 9SDE-E podstawka karty SD z wyrzutnikiem PDF Z 9SD-N podstawka karty SD niskoprofilowa PDF Z 9SD-NS podstawka karty SD niskoprofilowa krótka PDF Z GSDmini podstawka karty mini SD PDF Z 9TF-E podstawka T-Flash (micro SD) z wyrzutnikiem PDF Z SIM-M06-2 podstawka karty SIM z metalowymi uchwytami PDF Z SIM-P08 podstawka karty SIM z plastikową klapką PDF Z GMS/SD/MMC złącze do kart MS, SD, MCC PDF

2016-06-14 czytaj więcej
art

Tranzystor unipolarny VND14NV04-E firmy STMicroelectronics

Polecamy tranzystor VND14NV04-E, cechujący się parametrami: typ tranzystora: ...

Polecamy tranzystor unipolarny VND14NV04-E firmy STMicroelectronics, cechujący się następującymi parametrami:  Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Moc: 74W Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 12A Obudowa: DPAK (TO252) Montaż: SMD VND14NV04-E

2016-06-07 czytaj więcej
zobacz wszystkie artykuły

Przedstawicielstwa


zobacz wszystkie firmy