Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3348)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC817-40 SOT23 RealChip
BC817-40 SOT23 Kingtronics Tranzystor NPN; 600; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC337-40 TO92ammoformed LGE
Tranzystor NPN; 630; 625mW; 45V; 800mA; 210MHz; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC337.40; BC337-40-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: BC337-40 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: BC337-40 RoHS Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Stan magazynowy:
605 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 755 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BC337.40 Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnętrzny:
26500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
|
BC807-25W-7 SOT323(T/R) DIODES
Tranzystor PNP; 400; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-25W,115; BC807-25W,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC807-25W-7 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC807-25W-7 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BC807-25W-7 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
960 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 960 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-02-28
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC548C TO92(bulk) HT SEMI
Tranzystor NPN; 800; 500mW; 30V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC548C RoHS 300-600 Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC856A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 125; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC856A RoHS SY Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC856B SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC856B RoHS 3B Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC856C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC858B SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 475; 330mW; 30V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC858B RoHS 3K Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC858C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC858C RoHS 3L Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BCX53-16 SOT89 HT SEMI
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX53-16-DIO; BCX5316E6327; BCX5316E6327HTSA1; BCX5316H6327XTSA1; BCX5316H6433XTMA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCX54-16 SOT89 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 45V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX5416E6327HTSA1; BCX5416H6327XTSA1; BCX5416TA;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BD139-16 TO126 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BD139 RoHS 100-250 Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 250; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC857A RoHS 3E Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
FMMT593 SOT23 HT SEMI
PNP 1A 100V 500mW 50MHz podobny do: FMMT593TA; FMMT593TC;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: FMMT593 RoHS 593 Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 HT SEMI
Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: MMBT4401 RoHS :2X Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) mic
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-20
Ilość szt.: 9000
|
||||||||||||||||||||||
|
BC817-16 SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 250; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-16,215; BC817-16,235; BC817-16-7-F (DIODEZETEX); BC817-16LT1G (ONS); BC817-16 RF (TAIWANSEMI);
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC807-25 SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 400; 310mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC807-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-02-15
Ilość szt.: 12000
|
||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YANGJIE
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: BCP56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-20
Ilość szt.: 2500
|
||||||||||||||||||||||
|
MMBT4401 SOT23 REALCHIP
Tranzystor NPN; Bipolar; 40V; 300mW; 60V; 600mA; 250MHz; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: MMBT4401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW6G03S SOP-8 YFW
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2695 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2695 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW50P03AD TO-252 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: AOD417; YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW3400B SOT-23 YFW
30V 5.6A 1W 45mOhm@2.5V 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23(TO-236) Single FETs, MOSFETS Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF; YJL3400A; YFW3400B;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCX53-16 SOT89 RealChip
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BCX53-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
950 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
TIP41C TO220 REALCHIP
Tranzystor NPN; 65W; 100V; 6A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP41C-TU; TIP41C-ST; TIP41CTU; TIP41C-BP; TIP41CG; TIP41C-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: TIP41C RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
490 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250/500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC857C SOT23 RealChip
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857C,215; BC857C,235; BC857CE6327HTSA1; BC857C-7-F; BC857C SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC857C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC847A SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 220; 225mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847ALT1G; BC847AMTF; BC847A RF; BC847A-TP; BC847AE6327HTSA1; BC847A SMD ONS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC847A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2980 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
MOT817-40 SOT23 MOT
Tranzystor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1980 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 250 | 300mW | 45V | 500mA | 100MHz | SOT-23 | MOT | Nie dotyczy | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-20
Ilość szt.: 9000
|
||||||||||||||||||||||
|
MOT857B SOT23 MOT
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 220 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT-23 | MOT | Nie dotyczy | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-04-30
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000