Tranzystory polowe (wyszukane: 7001)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 59mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
EASTRONIC Symbol Producenta: AO3400 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
2N7002A DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 5Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1840 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 5Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
|
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 9A | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBsemi | |||||||||||||
|
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC
P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
EASTRONIC Symbol Producenta: AO3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS138 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3400 SOT23 REALCHIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
|
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
33000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 4,5Ohm | 360mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS Podobny do: BSS306N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 41mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
|
PTD30P25 TO252 HT SEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 29mOhm | 25A | 38W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | HT | |||||||||||||
|
BSS123 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10mOhm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
|
YFW50N06AD TO252 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: NTD5867NLT4G; CJJU20N06A; SUD50N06-09L-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 22mOhm | 50A | 45W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | YFW | |||||||||||||
|
AP9435GG SOT-89-3 TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; AP9435GG-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 32mOhm | 6A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HT | |||||||||||||
|
YFW30N06AD TO-252 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; PODOBNY DO: STD20NF06T4;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1065 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1065 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | YFW | |||||||||||||
|
RC4816 SOP-8 RealChip
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 26mOhm | 8,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | RealChip | |||||||||||||
|
BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 350W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXIN | |||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF YFW
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 22mOhm | 50A | 45W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | YFW | |||||||||||||
|
MOT50N06D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR2905ZTRPBF; IRLR3636TRPBF; YJD50N06A; AOD442;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 20mOhm | 50A | 75W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
|
MOT5N50MD TO-252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,2Ohm; 5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR420TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 2,2Ohm | 5A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
|
MOT60N03D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 60A; 45W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8729TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 15mOhm | 60A | 45W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
|
MOT90N03D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 85W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 7,5mOhm | 90A | 85W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
|
MOT740F TO-220F MOT
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 5,4A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: MOT740F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS84K SOT-23 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
|
RC4828 SOP-8 RealChip
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | RealChip | |||||||||||||
|
RC2302A SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 60mOhm | 3A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
|
T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER
N-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ElecSuper | |||||||||||||
|
RC3407A SOT23 RealChip
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML9303TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC3407A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS138W SOT323 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; podobny do: BSS138PW; BSS138PW,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BSS138W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
Tranz. RC7002DW SOT363 RealChip
N-Channel SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Odpowiednik: 2N7002KD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC7002DW RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.