Tranzystory polowe (wyszukane: 4846)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
10270 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
2N7002
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
192000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6160 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
2N7002-T1-E3 VISHAY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 40V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
AO3403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
380 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBS | |||||||||||||
STD26P3LLH6 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 18mOhm | 55A | 37,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
AO3418
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 RoHS AK... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3419
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
20870 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 3,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 3,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3420 SOT23-3L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | |||||||||||||
AO3422
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 12V | 120mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | |||||||||||||
AO4409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4409 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 15A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4435
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4435 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 36mOhm | 14A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4455
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 17A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4455 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 9,5mOhm | 17A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON7520
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 3,1mOhm; 50A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON7520C RoHS Obudowa dokładna: DFN08(3.3x3.3) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 3,1mOhm | 50A | 83,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT10N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT10N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF16N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 370mOhm; 16A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF9N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,2Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 1,2Ohm | 9A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Stan magazynowy:
15045 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Stan magazynowy:
560 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
NTJD4401NT1G
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 445mOhm; 910mA; 550mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 445mOhm | 910mA | 550mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 t/r | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4401NT1G Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 445mOhm | 910mA | 550mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 t/r | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD4401NT1G Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 445mOhm | 910mA | 550mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 t/r | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTJD5121NT1G
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 295mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 295mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTJD5121NT1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnętrzny:
54000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 295mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTMD6P02R2G
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6,2A | 1,28W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMD6P02R2G Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6,2A | 1,28W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTMD6P02R2G Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6,2A | 1,28W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTMFS4926NT1G
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 44A; 21,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 110 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11,2mOhm | 44A | 21,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN5 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTP2955G
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 196mOhm; 12A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 196mOhm | 12A | 62,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR0202PLT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 1,1Ohm; 400mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR0202PLT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 20V | 1,1Ohm | 400mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR0202PLT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 20V | 1,1Ohm | 400mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4003NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4003NT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 500mA | 690mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
1400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 500mA | 690mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4003NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
282000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 500mA | 690mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4003NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3820 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2Ohm | 500mA | 690mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4101PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 2,4A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4101PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2822 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 2,4A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: NTR4101PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
605 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 2,4A | 730mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4171PT1G
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4171PT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 150mOhm | 2,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4171PT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 150mOhm | 2,2A | 480mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTR4501NT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4501NT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 105mOhm | 3,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 105mOhm | 3,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTR4501NT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 105mOhm | 3,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.