STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGD3nb60sdt4
Obudowa: DPAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 6A; 25A; 48W; 2,5V~4,5V; 23nC; -65°C~175°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 23nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 48W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 6A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 25A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 2,5V ~ 4,5V |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Ładunek bramki: | 23nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 48W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 6A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 25A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 2,5V ~ 4,5V |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | SMD |