MBT3904DW1T1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMBT3904dw1t1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor 2xNPN; 300; 150mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 150mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G RoHS MA. Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3300 0,1920 0,1600 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 150mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN