LTV817S-C smd   LTV-817S-C LTV-817S-TA1-C LTV-817S-TA1

Symbol Micros: OOPC817cltvs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04smd
pojedynczy; CTR 200-400%; Vce 35V; Uiso 5,0kV; NPN Phototransistor; PS2501L-1(L); SFH6106-4; SFH6106-5T; EL817S1-C(TU); PC817X3NIP; LTV-817S-TA1-C; LTV817S-TA1-C
Parametry
CTR: 200-400%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
Producent: LITE-ON Symbol producenta: LTV-817S-TA1-C RoHS Obudowa dokładna: PDIP04smd karta katalogowa
Stan magazynowy:
41350 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9700 0,4690 0,3200 0,2840 0,2770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000/20000
CTR: 200-400%
Obudowa: PDIP04smd
Typ wyjścia: NPN Phototransistor
Napięcie izolacji: 5000V
Napięcie wyjściowe: 35V
Opis szczegółowy

Producent: Lite-On
Typ elementu półprzewodnikowego: transoptor
Montaż: SMD
Liczba kanałów: 1
Rodzaj wyjścia: tranzystorowe
Napięcie izolacji: 5kV
CTR@If : 200-400%@5mA
Napięcie kolektor-emiter: 35V
Temperatura pracy: -30°C ~ 110°C
Obudowa: Gull wing 4