AO3400
Symbol Micros:
TAO3400 c
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 35mOhm; 30A; 1,5W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | GOODWORK |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 35mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | GOODWORK |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
AO3400 SOT23-3 HOTTECH
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
Producent:
HOTTECH
Symbol producenta:
AO3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1990 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,7700 | 0,3660 | 0,2060 | 0,1560 | 0,1400 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
AO3400 SOT23 LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50Ohm; 5,8A; 1,4W; -55°C~150°C;
Pozycja dostępna na zamówienie
AO3400 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
AO3400-HXY RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
800 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8330 | 0,4220 | 0,2560 | 0,2030 | 0,1850 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)