BC850C

Symbol Micros: TBC850c c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; Bipolarny; 800; 30V; 5V; 100MHz; 200mA; 250mW; -65°C~150°C; Podobny do: BC850C _R1 _00001;
Parametry
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: YFW Symbol producenta: BC850C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2390 0,0892 0,0478 0,0357 0,0329
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: KINGTRONICS Symbol producenta: BC850C RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,2150 0,0795 0,0420 0,0311 0,0296
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Moc strat: 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN