BCV46E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCV46 INF
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 10000; 360mW; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: BCV46E6327; BCV46E6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 360mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCV46E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
19 szt.
ilość szt. 5+ 19+
cena netto (PLN) 1,0500 0,2340
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
19
Moc strat: 360mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Producent: INFINEON
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP