IGW30N60T

Symbol Micros: TIGW30n60t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1
Parametry
Ładunek bramki: 167nC
Maksymalna moc rozpraszana: 187W
Maksymalny prąd kolektora: 45A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 90A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IGW30N60TFKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 13,9300 11,5100 10,0700 9,3800 8,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ładunek bramki: 167nC
Maksymalna moc rozpraszana: 187W
Maksymalny prąd kolektora: 45A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 90A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V