IRFR3709Z

Symbol Micros: TIRFR3709z TEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5mOhm; 90A; 181W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFR3709ZTRRPBF; IRFR3709ZTRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 181W
Obudowa: TO252
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Producent: TECH PUBLIC Symbol producenta: IRFR3709Z RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1600 1,7200 1,5500 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Rezystancja otwartego kanału: 5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 90A
Maksymalna tracona moc: 181W
Obudowa: TO252
Producent: TECH PUBLIC
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 10V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT