SH8JB5

Symbol Micros: TSH8JB5
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JB5TB1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ROHM - Japan Symbol producenta: SH8JB5TB1 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 11,3600 9,2500 8,0200 7,4400 7,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 15,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,5A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: ROHM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD