SI2308BDS
Symbol Micros:
TSI2308bds
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 192mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,66W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 192mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,66W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
SI2308BDS
60V 3.1A 1.66W 85m@10V,1.9A 3V@250A N Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Pozycja dostępna na zamówienie
SI2308BDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol producenta:
SI2308BDS RoHS E8.
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
140 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 40+ | 150+ | 750+ |
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,7840 | 0,5680 | 0,4860 | 0,4480 |
Sposób pakowania: 150
Ilość (wielokrotność 1)