TIP110G

Symbol Micros: TTIP110g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 2500; 2W; 60V; 2A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 2500
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: TIP110G RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1700 1,7000 1,6000 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 2500
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN