AO3400

Symbol Micros: TAO3400 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 35mOhm; 30A; 1,5 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GOODWORK
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GOODWORK
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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