AO3400 SOT23 LGE

Symbol Micros: TAO3400 LGE

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 50Ohm; 5,8A; 1,4 W; -55°C~150°C; LGE3400

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	50Ohm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Widerstand im offenen Kanal:	50Ohm
Max. Drainstrom:	5,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1519	0,0721	0,0405	0,0309	0,0276

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2162	0,1027	0,0578	0,0438	0,0393

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1203	0,0552	0,0299	0,0224	0,0200

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1533	0,0613	0,0356	0,0297	0,0278