AO3401 HXY MOSFET

Symbol Micros: TAO3401a HXY

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: AO3401 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1913	0,0909	0,0511	0,0388	0,0348

Widerstand im offenen Kanal:	90mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,2W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1755	0,0703	0,0408	0,0340	0,0319

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1650	0,0659	0,0384	0,0319	0,0300