AO3401 HXY MOSFET

Symbol Micros: TAO3401a HXY
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Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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