BL3401 GALAXY

Symbol Micros: TAO3401a GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BL3401A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2019 0,0959 0,0540 0,0410 0,0367
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: GALAXY
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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