AO3422

Symbol Micros: TAO3422
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 12V; 210mOhm; 2,1A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD