AOD442

Symbol Micros: TAOD442

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 37mOhm; 37A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	37mOhm
Max. Drainstrom:	37A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOD442 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8817	0,6472	0,5182	0,4455	0,4197

Widerstand im offenen Kanal:	37mOhm
Max. Drainstrom:	37A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4408	0,2673	0,2049	0,1848	0,1759