AOD442 UMW

Symbol Micros: TAOD442 UMW
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 25mOhm; 37A; 60W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD442 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AOD442 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4395 0,2665 0,2043 0,1842 0,1753
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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