BC857B HXY MOSFET

Symbol Micros: TBC857b HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BC857B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0510 0,0191 0,0102 0,0076 0,0070
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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