BC857B NXP

Symbol Micros: TBC857b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Ersatz: BC857BLT1G; BC857B RF; BC857B-7-F; BC857B,235; BC857B,215; BC857B-13-F; BC857B,215; BC857B-DIO; BC857B.215;

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Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857B 3F.. RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0643 0,0246 0,0121 0,0096 0,0092
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
67878 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0643 0,0246 0,0121 0,0096 0,0092
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Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-01-10
Anzahl Stück: 150000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: NXP
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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