BC857B NXP

Symbol Micros: TBC857b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 220 < beta < 475 PNP 100mA 45V 250mW 100MHz 220 < beta < 475
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857B 3F.. RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0678 0,0261 0,0128 0,0101 0,0097
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Standard-Verpackung:
3000/9000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0678 0,0261 0,0128 0,0101 0,0097
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Standard-Verpackung:
3000/120000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
176068 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0678 0,0261 0,0128 0,0101 0,0097
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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