BD681

Symbol Micros: TBD681sgs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 40W
Grenzfrequenz: 1MHz
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,4615 0,3021 0,2162 0,1889 0,1760
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Standard-Verpackung:
50/2000
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
64850 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1760
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
149936 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1760
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 40W
Grenzfrequenz: 1MHz
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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