BD681
Symbol Micros:
TBD681sgs
Gehäuse: TO126
Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 40W |
Grenzfrequenz: | 1MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Gehäuse: | TO126 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4639 | 0,3037 | 0,2174 | 0,1899 | 0,1770 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD681
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
2686 stk.
Anzahl Stück | 950+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1770 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD681
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
43550 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1770 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD681
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
160976 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1770 |
Verlustleistung: | 40W |
Grenzfrequenz: | 1MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Gehäuse: | TO126 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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