BD681 JSMICRO

Symbol Micros: TBD681 JSM

Gehäuse: TO126

Transistor Darlington NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;

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Parameter

Verlustleistung:	40W
Stromverstärkungsfaktor:	750
Hersteller:	JSMICRO
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126bulk

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2889	0,1539	0,1193	0,1102	0,1055

Verlustleistung:	40W
Stromverstärkungsfaktor:	750
Hersteller:	JSMICRO
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	Darlington NPN

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3077	0,1701	0,1341	0,1219	0,1179

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3077	0,1701	0,1341	0,1219	0,1179

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3077	0,1701	0,1341	0,1219	0,1179

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3077	0,1701	0,1341	0,1219	0,1179

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4557	0,2983	0,2135	0,1865	0,1738