BD681 JSMICRO

Symbol Micros: TBD681 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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NPN Darlington-Transistor; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;
Parameter
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2941 0,1566 0,1215 0,1122 0,1074
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington NPN

Symbol Micros

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