BSP315P

Name: TBSP315p TBSP315p
Brand: Infineon
SKU: TBSP315p
Price: 0.3697 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP315p

Gehäuse: SOT223t/r

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 1,4 Ohm; 1,17A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,4Ohm
Max. Drainstrom:	1,17A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223t/r
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP315PH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

1200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8493	0,5382	0,4258	0,3861	0,3697

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP315PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

207000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3697

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP315PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

10775 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3697

Widerstand im offenen Kanal:	1,4Ohm
Max. Drainstrom:	1,17A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223t/r
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3580	0,2363	0,1694	0,1451	0,1380

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5569	0,3369	0,2597	0,2335	0,2223