BSP315P JGSEMI

Name: TBSP315p JGS TBSP315p JGS
Brand: JGSEMI
SKU: TBSP315pJGS
Price: 0.1381 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP315p JGS

Gehäuse: SOT223

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 230 mOhm; 2A; 2W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BSP315P RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3582	0,2365	0,1695	0,1451	0,1381

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 125°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8498	0,5385	0,4261	0,3863	0,3699

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5572	0,3371	0,2599	0,2336	0,2224