FDN338P

Symbol Micros: TFDN338p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 165 mOhm; 1,6A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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