FDN338P

Symbol Micros: TFDN338p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 165 mOhm; 1,6A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SSOT3  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3526 0,1948 0,1530 0,1417 0,1359
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P Gehäuse: SSOT3  
Externes Lager:
159000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1359
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P Gehäuse: SSOT3  
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1359
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDN338P Gehäuse: SSOT3  
Externes Lager:
201000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1359
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 165mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD