FDN338P UMW

Symbol Micros: TFDN338p UMW

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 2,8A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDN338P Onsemi;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	142mOhm
Max. Drainstrom:	2,8A
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2000	0,0949	0,0535	0,0406	0,0363

Widerstand im offenen Kanal:	142mOhm
Max. Drainstrom:	2,8A
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	150+	740+	3700+
Nettopreis (EUR)	0,1613	0,0642	0,0394	0,0316	0,0293

Anzahl Stück	5+	20+	100+	260+	1300+
Nettopreis (EUR)	0,1613	0,0760	0,0422	0,0345	0,0293