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HXY4828S (IRF7341TRPBF) HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRF7341 HXY

Gehäuse: SOP08

2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 48mOhm; 6,5A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	48mOhm
Max. Drainstrom:	6,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBF-HXY RoHS 4828. Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4984	0,2995	0,2288	0,2059	0,1989

Widerstand im offenen Kanal:	48mOhm
Max. Drainstrom:	6,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	30+	100+	497+
Nettopreis (EUR)	0,3346	0,2176	0,1680	0,1425	0,1287

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3346	0,1844	0,1448	0,1343	0,1287

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5662	0,3556	0,2948	0,2621	0,2457

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	700+
Nettopreis (EUR)	0,5662	0,3580	0,2808	0,2550	0,2457