IRF7341TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRF7341 JGS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5218 0,3159 0,2433 0,2188 0,2082
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD