IRF1404 JSMICRO

Symbol Micros: TIRF1404 JSM
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404PBF; SP001561374;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 230A
Maximaler Leistungsverlust: 285W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
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Geplantes Datum:
2024-12-27
Anzahl Stück: 50
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 230A
Maximaler Leistungsverlust: 285W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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