IRF3205PBF

Name: TIRF3205 TIRF3205
Brand: Infineon
SKU: TIRF3205
Price: 0.4051 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3205

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

380 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1984	0,7957	0,6160	0,5944	0,5704

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

554 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5704

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5720 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5704

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	250+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9419	0,5968	0,4722	0,4242	0,4098

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8221	0,5201	0,4098	0,3739	0,3571