IRF3205PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF3205 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF3205PBF; SP001559536;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7486 0,4749 0,3743 0,3415 0,3252
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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