IRF3710
Symbol Micros:
TIRF3710
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
| Max. Drainstrom: | 57A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-25
Anzahl Stück: 2000
| Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
| Max. Drainstrom: | 57A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Ähnliche Produkte
Hersteller:
SHIKUES
Hersteller-Teilenummer:
SKG45N10-T RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
36 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,8471 | 0,5312 | 0,4164 | 0,3924 | 0,3685 |
Standard-Verpackung: 50/100
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
JSMicro Semiconductor
Hersteller-Teilenummer:
IRF3710PBF RoHS
Gehäuse:
TO220
Auf Lager
30 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,9308 | 0,5886 | 0,4642 | 0,4235 | 0,4044 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
Artikel auf Anfrage erhältlich
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole