IRF3710

Name: TIRF3710 TIRF3710
Brand: Infineon
SKU: TIRF3710
Price: 0.6031 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3710

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

1400 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2217	0,8957	0,7199	0,6167	0,5815

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2217	0,8957	0,7199	0,6167	0,5815

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

262 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2948

Widerstand im offenen Kanal:	23mOhm
Max. Drainstrom:	57A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8301	0,5206	0,4080	0,3846	0,3611

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9122	0,5768	0,4549	0,4150	0,3963