IRF3710

Symbol Micros: TIRF3710
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710PBF; SP001551058;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
72 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0258 0,7524 0,6028 0,5187 0,4884
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Standard-Verpackung:
50/1000
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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