IRF540N

Symbol Micros: TIRF540n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NPBF; IRF 540N PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
4800 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9032 0,5732 0,4516 0,4118 0,3931
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Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
195 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9032 0,5732 0,4516 0,4118 0,3931
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Standard-Verpackung:
50/1000/4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
163407 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3931
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
16048 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3931
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5720 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4039
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-07
Anzahl Stück: 5000
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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