IRF540NPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF540n MOS
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6739 0,4258 0,3369 0,3065 0,2925
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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