IRF7406TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRF7406 JGS
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Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1 W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF7406GTRPBF; SP001551328; SP001554244; SP001563604;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF7406TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3778 0,2488 0,1774 0,1551 0,1455
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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