IRF740PBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRF740 MOS
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 420mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | MOSLEADER |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 420mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | MOSLEADER |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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