IRF830PBF

Symbol Micros: TIRF830

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 1,5 Ohm; 4,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF830 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

173 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	0,9179	0,6065	0,5019	0,4671	0,4369

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

84200 stk.

Anzahl Stück	350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4369

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF830APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

191300 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4369

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1525 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4369

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT