IRF830PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF830 JSM

Gehäuse: TO220

Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF830PBF; IRF830PBF-BE3;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,6Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	33W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	550V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	2,6Ohm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	33W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	550V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Montage:	THT

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IRF830

Symbol Micros: IRF830 Infos

Datenblatt

Hersteller:

Siliconix

Hersteller-Teilenummer:

IRF830 RoHS

Gehäuse:

TO220

Auf Lager

233 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	0,9138	0,6038	0,4997	0,4650	0,4349

Standard-Verpackung: 50/300

Menge (Vielfache 1)