IRF9530

Symbol Micros: TIRF9530
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 12A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9530 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
489 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4175 1,0819 0,8965 0,7862 0,7463
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Standard-Verpackung:
50/700
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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