IRF9530
Symbol Micros:
TIRF9530
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 300 mOhm; 12A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
Max. Drainstrom: | 12A |
Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF9530 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
389 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4105 | 1,0765 | 0,8920 | 0,7823 | 0,7426 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7426 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1658 stk.
Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,7426 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRF9530PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7426 |
Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
Max. Drainstrom: | 12A |
Maximaler Leistungsverlust: | 88W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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