IRF9530NPBF
Symbol Micros:
TIRF9530n
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 14A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9530N RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
13 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8636 | 0,6336 | 0,5069 | 0,4365 | 0,4107 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
10226 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4107 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3070 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4107 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF 9530N PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
69 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,5017 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-07
Anzahl Stück: 1000
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 14A |
Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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