IRFL014

Symbol Micros: TIRFL014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 200 mOhm; 2,7A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFL014TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5851 0,3660 0,3054 0,2704 0,2541
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole