IRFL014N
Symbol Micros:
TIRFL014n
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 160 mOhm; 2,7A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5851 | 0,3706 | 0,2914 | 0,2657 | 0,2541 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2541 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
17500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2541 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
6350 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2541 |
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,1W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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