IRFL014N

Name: TIRFL014n TIRFL014n
Brand: Infineon
SKU: TIRFL014n
Price: 0.2545 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFL014n

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 160 mOhm; 2,7A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	2,7A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

180 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5861	0,3713	0,2919	0,2662	0,2545

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

40000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2545

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

5150 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2545

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	2,7A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5861	0,3666	0,3059	0,2709	0,2545

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4624	0,2802	0,2148	0,1938	0,1845