IRFL014N

Symbol Micros: TIRFL014n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 160 mOhm; 2,7A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5851 0,3706 0,2914 0,2657 0,2541
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,2541
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
17500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,2541
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL014NTRPBF Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
6350 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,2541
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD