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IRFR024N HXY MOSFET

Name: TIRFR024 HXY TIRFR024 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRFR024HXY
Price: 0.1681 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFR024 HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 105 mOhm; 20A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR024NPBF; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRPBF; IRFR024NTRRPBF; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	105mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRFR024N RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4367	0,2872	0,2050	0,1793	0,1681

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	105mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,4180	0,2324	0,1833	0,1679	0,1611

Anzahl Stück	2+	10+	40+	170+	680+
Nettopreis (EUR)	0,4390	0,2639	0,2081	0,1842	0,1751

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9131	0,5791	0,4554	0,4157	0,3970

IRFR024N HXY MOSFET

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