IRFR024NTRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR024 JGS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRFR024NPBF; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRPBF; IRFR024NTRRPBF; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFR024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4196 0,2766 0,1974 0,1725 0,1617
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 125°C
Montage: SMD

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