IRFR220NTRPBF
Symbol Micros:
TIRFR220n
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 600 mOhm; 5A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR220NTR RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Auf Lager:
210 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5070 | 0,3061 | 0,2360 | 0,2128 | 0,2026 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR220NTRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
62000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2026 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR220NTRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2026 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR220NTRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
6400 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2363 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR220NTRPBF RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5070 | 0,3061 | 0,2360 | 0,2128 | 0,2026 |
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO252 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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