IRFR220NTRPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFR220n JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 55W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR220PBF; IRFR220PBF-BE3; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRPBF-BE3; IRFR220TRRPBF; IRFR220NPBF; IRFR220NTRLPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NTRRPBF; SP001560574; SP001567454; SP001577980; SP001575982;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFR220NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4499 0,2728 0,2091 0,1886 0,1795
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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