IRFR3707Z

Symbol Micros: TIRFR3707z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET 56A 30V 50W IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZPBF IRFR3707ZPBF-GURT

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5Ohm
Max. Drainstrom: 56A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3707ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Externes Lager:
2150 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2865
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9,5Ohm
Max. Drainstrom: 56A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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